Из чего сделаны процессоры Apple

iPad Appleпостроен на одноядерном процессоре ARM A8 производства Samsung. Естественно, что с появлением новинки нашлось много желающих всячески протестировать девайс, устроить ему головомойку и, наконец, разобрать и посмотреть,что внутри.

 

Отвлечёмся пока от таких поползновений и вспомним весь путь развития процессоров Apple от оригинального iPhone (2007 г.) до последних iPad.

Каждый год компания выпускает два новых мобильных продукта. Причём новинки чередуются: сначала iPhone, потом iPod.

Согласно исследованию, проведённому UBM TechInsights, новые прикладные процессоры сначала обкатываются на семействе iPod Touch, и лишь потом применяются в iPhone.
В прикладных процессорах iPhone и iPhone 3G используются схемы DRAM от Samsung (технологические нормы 90 нм).
Когда Apple перешла на технологический уровень 65 нм производства процессоров, то первым устройством, где была применена эта технология, стал iPod Touch второго поколения,а затем уже iPhone 3GS. Такая же тенденция наблюдается между iPod Touch 3G и iPad. Именно в iPod Touch 3G впервые был изготовлен по технологии 45 нм.

Сравнивая топологии процессоров можно легко определить функциональные узлы. Идентификация производителя – более сложная задача. Сравнивая характеристики А4 (герметизация на краях кристалла, пассивация, диэлектрические свойства) с характеристиками других процессоров, производители которых известны, инженеры UBM TechInsights пришли к выводу, что А4 изготавливает Samsung.

Установив производителя, мы можем определить, что в данной модели процессора является новым, а что – стандартные приёмы и давно известные элементы.

	iPhone	iPhone 3G	iPod Touch 2	iPhone 3GS	iPod Touch 3	iPad
Маркировка	S5L8900B01	S5L8900B02	APL0278A00	APL029805	APL2298A02	APL0398B01
Производитель	Samsung	Samsung	Samsung	Samsung	Samsung	Samsung
Размер микросхемы, мм	8,5 x 8,5	8,5 x 8,5	6,0 x 6,0	8,6 x 8,5	6,4 x 6,4	7,3 x 7,3
Техпроцесс	90нм	90нм	65нм	65нм	45нм	45нм
Interconnect	8 Cu, 1 W	8 Cu, 1 W	8 Cu, 1 W	8 Cu, 1 W	8 Cu, 1 W	8 Cu, 1 W
Встроенная DRAM	Есть	Есть	Нет	Нет	Нет	Нет
Объём DRAM	128МБ (64М x 16)	128МБ (64М x 16)	128МБ (32М x 32)	256МБ (64М x 32)	256МБ (64М x 32)	256МБ (64М x 32)
Ядро	ARM	ARM	ARM	ARM	ARM	ARM

 

 

Были проведены серии экспериментов, чтобы определить потребление iPad. Как видно из рисунка, ЖК-дисплей потребляет от 1 Вт до 3,5 Вт в зависимости от яркости панели. Выход в интернет забирает чуть более 2 Вт при умеренной яркости дисплея.

 

 

Сравнивая полученные значения, можно вычислить, что главная плата iPad потребляет около 1 Вт. Принимая, что на долю процессора приходится 50-80%, получаем, что А4 «кушает»500-800 мВт, когда пользователь просматривает веб-страницы через Wi-Fi.

При воспроизведении музыки и видеофайлов потребляется около 1,5 – 1,7 Вт (при минимальной яркости дисплея). Без учёта ЖК-дисплея плата потребляет мощность в пределах450 – 650 мВт. То есть на процессор приходится от 250 до 530 мВт, согласно сделанным предположениям.

Из рисунка потребления видно, что самая «прожорливая» часть iPad – это дисплей. Проведённый анализ, кроме того, подтвердил достоверность некоторых слухов, которые ходили вокруг девайса.

Теперь посмотрим, есть ли какие-либо новые конструктивные решения в iPad.

 

Компонент	Результат	Как получен
Процессорное ядро	ARM Cortex A8	Сравнение с эталоном и данные от ARM
Набор команд	ARM v7	Тестирование ПО
Количество ядер	1	Тестирование ПО
Производительность	1 937 815 DMIPS	Сравнение с эталоном
Частота работы (расчётная)	1ГГц	Сравнение с эталоном и данные от ARM
Кеш первого уровня (L1)	64кБ	Сравнение с эталоном
Кеш второго уровня (L2)	640кБ	Функциональный анализ
Поддержка NEON	есть	Тестирование ПО

 

Согласно информации, представленной корпорацией ARM, процессор Cortex-A8 изготовлен по технологическим нормам 65 нм и работает на частоте до 1 ГГц. Учитывая, что А4 изготовлен по технологии 45 нм, получаем, что его работа оптимизирована по потреблению.

Второй важный результат – было подтверждено, что процессор А4 поддерживает набор медиаинструкций NEON.

 

Элтайм.ру,по материалам TechInsughts

Источник

В Томске откроется производство светодиодного оборудования

Компания «Росэлектроника», входящая в состав «Ростехнологий», в этом году планирует начать реализацию проекта по созданию светодиодного кластера в Томской особой экономической зоне (ОЭЗ).

 

Об этом сообщил губернатор Томской области Виктор Кресс в рамках ежегодного послания к депутатам Законодательной думы своего региона.

По словам Виктора Кресса, проект начнет работу при промышленном сотрудничестве НИИ полупроводниковых приборов и Томского университета систем управления и радиоэлектроники.

В целом, как следует из текста послания губернатора, в 2011 г. в развитие Томской технико-внедренческой зоны (ТВЗ) будет вложено 4.3 млрд руб. из федерального бюджета и1.8 млрд руб. – из областного. «Сегодня в ТВЗ 56 резидентов, но такие резиденты, как госкорпорация «Ростехнологии» в лице «Российской электроники» и исследовательского центра компании «Сибур», являются безусловным преимуществом», – отметил Виктор Кресс.

Напомним, что в декабре 2010 г. экспертный совет по технико-внедренческим зонам в Минэкономразвития России одобрил проект по строительству в Томске производства светодиодов стоимостью 5.3 млрд руб. Кроме того, ООО «Базовый центр светодиодных технологий – Томск» – один из трех центров светодиодных технологий, созданных на основе действующих организаций холдинга «Росэлектроника» в рамках проекта по организации производства полного цикла светодиодов и энергосберегающих осветительных устройств в России, – получило статус резидента в ОЭЗ Томска.

На площадке Томской ОЭЗ планируется создать научно-исследовательский центр, где будут вестись разработка, проектирование, производство и испытания новых материалов, технологий и конструкций светотехнической продукции на базе светодиодов. Цель проекта – решение комплекса задач по созданию светодиодов с характеристиками, превышающими все известные в мире аналоги (световая отдача светодиодов более 150 лм/Вт, световой поток – более 200 лм).

 

Томская ОЭЗ

 

«Мы в Томске, не дожидаясь «Сколково», в течение двух лет создадим мощный крупносерийный завод полного цикла, который будет производить светодиоды», – обещал ранее генеральный директор ОАО «Росэлектроника» Андрей Зверев.

Завод по производству светодиодных светильников «Росэлектроника» планирует построить к концу 2013 г. Всего же компания планирует создать три базовых центра по производству компонентов для светодиодной техники в России: в Петербурге, Москве и Томске. Эти центры будут заниматься выращиванием структур на сапфировой подложкеи производством чипов. Продукция будет поставляться на вновь создаваемые предприятия сборки, а затем - потребителю в лице дочерних предприятий ГК «Ростехнологии». Стоимость всего инвестпроекта оценивается в 20 млрд руб. Из них 14 млрд руб. вложит «Росэлектроника», еще 6 млрд руб. – частные инвестиции.

Элтайм.ру,по материаламРадиолоцмана

Источник

Молибденит - новая альтернатива графену

Швейцарские инженеры из Федеральной политехнической школы Лозанны изготовили полевой транзистор с использованием одиночного слоя молибденита.

 

Сейчас самым перспективным «двумерным» материалом электроники считается графен, обеспечивающий высокую подвижность носителей заряда. Ученые мгновенно оценилиего потенциал, и новые варианты графеновых транзисторов, среди которых встречаются, к примеру, рекордно быстрые, появляются очень часто. Правда, у «чистого» графена есть один существенный недостаток: он не имеет запрещенной зоны. Способы ее формирования известны, но дополнительные операции усложняют изготовление транзисторов.

Молибденит – довольно распространенный минерал, сульфид молибдена MoS₂– обычно используется как компонент смазок. Монослои MoS₂в экспериментах демонстрировали запрещенную зону шириной в 1.8 эВ, однако зарегистрированная подвижность носителей заряда (0.5…3.0 см²·В^–1·с^–1)оказалась слишком мала для применения в электронике.

В своем транзисторе авторы использовали в качестве диэлектрика затвора оксид гафния HfO₂,который имеет высокое значение диэлектрической проницаемости. Опыты показали, что при комнатной температуре подвижность носителей поднимается как минимум до 200см²·В^–1·с^–1,что сравнимо с показателями графеновых нанолент. Измеренное отношение токов в открытом и закрытом состоянии составило около 10⁸.

Элтайм.ру,по материаламРадиолоцмана

Источник